1. 首頁 > 生活百科 > >

盛美上海推出Ultra ECDP電化學去鍍設備

ai軟件埃丁·哲科

盛美上海推出Ultra ECDP電化學去鍍設備

文章圖片


新設備專為在晶圓圖形區域外進行電化學晶圓級金（Au）蝕刻而設計 。
盛美上海今日宣布推出首款專為寬禁帶化合物半導體制造而設計的Ultra ECDP電化學去鍍設備 。 該新設備專為在晶圓圖形區域外進行電化學晶圓級金（Au）蝕刻而設計 ， 可實現更高的均勻性、更小的側蝕和增強的金線外觀 。
Ultra ECDP設備提供專業化工藝 ， 包括金凸塊去除、薄膜金蝕刻及深孔金去鍍 ， 并配備集成的預濕和清洗腔體 。 其具備精確的化學液循環和先進的多陽極電化學去鍍技術 ， 該系統實現了最小化的側向蝕刻、優異的表面光潔度以及所有圖形特征的卓越均勻性 。
Ultra ECDP電化學去鍍設備Ultra ECDP專為滿足化合物半導體制造不斷發展的要求而設計 ， 可適應不同襯底（包括碳化硅（SiC）、砷化鎵（GaAs）和磷酸鋰（Li?PO?））等的獨特物理特性 ， 如重量、應力和厚度 。 采用模塊化設計的Ultra ECDP具有靈活性 ， 可在單一平臺內集成電鍍和去鍍工藝 ， 并利用多陽極技術控制不同區域的去鍍過程 。 此外 ， Ultra ECDP還提供水平全表面去鍍方式 ， 以防止加工過程中的交叉污染 。
Ultra ECDP系統為高精度金凸塊、薄膜和深孔去鍍提供卓越的均勻性和最小化的側蝕 。 Ultra ECDP設備兼容6英寸和8英寸平臺 ， 支持150毫米（mm）、159mm和200mm晶圓尺寸 。 該系統可配置兩個開放式片盒和一個真空機械臂 ， 為各種制造環境提供適應性 。
盛美上海總經理王堅表示：“受到電動汽車、5G/6G通信、射頻和人工智能應用等領域的強勁需求推動 ， 化合物半導體市場持續增長 。 金因具有高導電性、耐腐蝕性和延展性 ， 正成為這些器件的優勢材料 ， 但也帶來了蝕刻和電鍍方面的挑戰 。 我們的新型Ultra ECDP設備克服了這些障礙 ， 提供可靠的生產就緒型解決方案 ， 幫助客戶實現高性能成果 。 這是我們如何通過創新應對客戶挑戰的又一例證 。 ”
盛美上海的核心技術優勢今年上半年盛美上海實現營業收入32.65億元 ， 同比增長35.83%；歸母凈利潤達6.96億元 ， 同比增長56.99% 。 對于上半年營收及凈利潤的快速增長 ， 盛美上海表示 ， 主要由于中國市場需求強勁 ， 公司憑借技術差異化優勢 ， 成功把握市場機遇 ， 積累了充足訂單儲備 。 公司銷售交貨及調試驗收工作高效推進 ， 使得業績快速增長 。 此外 ， 得益于公司“產品平臺化”戰略的持續推進 ， 公司的產品技術水平和性能持續提升 ， 產品系列日趨完善 ， 滿足了客戶的多樣化需求 ， 市場認可度不斷提高 ， 為收入增長提供了有力支撐 。
盛美上海2025年半年度報告顯示 ， 其核心技術主要應用于半導體清洗設備、無應力拋光設備和電鍍銅設備 。 根據國家集成電路創新中心和上海集成電路研發中心有限公司出具的《關于盛美半導體設備（上海）股份有限公司核心技術的評估》 ， 其部分核心技術已達到國際領先或國際先進的水平 ， 具體如下表所示：

具體而言 ， 針對傳統兆聲波清洗工藝中兆聲波能量無法均勻控制的問題 ， 盛美上海開發了SAPS兆聲波清洗 技術 。 兆聲波的工藝頻率范圍為1-3MHz ， 最大功率可達3W/cm2 。 SAPS兆聲波清洗技術通過控 制工藝過程中兆聲波發生器和晶圓之間的相對運動 ， 使得晶圓上每一點在工藝時間內接收到的兆聲波能量都相同 ， 不受晶圓翹曲的影響 ， 并確保晶圓上每點所承受的能量在安全范圍內 。
盛美上海自主研發的TEBO清洗設備 ， 可適用于28nm及以下工藝圖形晶圓的清洗 ， 通過一系列快速（頻率達到每秒一百萬次）的壓力變化 ， 使得氣泡在受控的溫度下保持尺寸和形狀振蕩 ， 將 氣泡控制在穩定震蕩狀態 ， 而不會內爆 ， 從而保持晶圓微結構不被破壞 ， 對晶圓表面圖形結構進 行無損傷清洗 。 其TEBO清洗設備在器件結構從2D轉換為3D的技術轉移中 ， 可應用于更為精細的具有3D結構的FinFET、DRAM和新興3D NAND等產品 ， 以及未來新型納米器件和量子器件等 。
單片槽式組合Tahoe高溫硫酸清洗設備集成了單腔體清洗模塊和槽式清洗模塊 ， 可用于12英寸晶圓生產線的前端和后道工藝 ， 尤其可用于高溫硫酸工藝 。 綜合了槽式和單片的優勢 ， 在同一臺設備中分步完成槽式清洗和單片清洗工序 ， 既大量節省了硫酸使用量 ， 也保證的良好的清洗效果 。
無應力拋光技術將陰極設計為惰性金屬電極 ， 將具有金屬銅膜的晶圓連接到陽極 ， 利用電解反應過程 ， 使晶圓上的銅膜失去電子 ， 形成銅離子進入到電解質溶液（拋光液）中 ，在陰極處會有氫氣生成 。 隨著電解過程的進行 ， 晶圓表面銅膜逐漸溶解在拋光液中 ， 從而達到了對表面銅膜的拋光作用 。
多陽極局部電鍍技術可獨立控制每個陽極的工作電壓以及工作時區 ， 從而控制晶圓表面的電場及電流分布 ， 使電鍍電源控制的響應時間精確控制 ， 使在超薄籽晶層上的電鍍銅膜均勻度提高 ， 完成納米級小孔的無孔穴填充電鍍 。 盛美上海成功開發了擁有自主知識產權的前道銅互連電鍍設備Ultra ECP map ， Ultra ECP map+ ， Ultra ECP map++ ， 并已實現量產 。
*聲明：本文系原作者創作 。 文章內容系其個人觀點 ， 我方轉載僅為分享與討論 ， 不代表我方贊成或認同 ， 如有異議 ， 請聯系后臺 。
【盛美上海推出Ultra ECDP電化學去鍍設備】想要獲取半導體產業的前沿洞見、技術速遞、趨勢解析 ， 關注我們！

    推薦閱讀