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HBM4時代來了，內存芯片升溫

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HBM4時代來了，內存芯片升溫

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本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合
【HBM4時代來了，內存芯片升溫】SK 海力士率先破局 。

近日 ， SK 海力士宣布在全球率先建立第六代高帶寬存儲器（HBM4）量產體系 ， 這一消息標志著下一代存儲器芯片新一輪技術競賽正式拉開帷幕 。
作為高帶寬存儲器領域的重要進展 ， HBM4 的出現是為了滿足人工智能數據中心日益增長的性能需求 。 人工智能工作負載對于數據處理速度和內存帶寬有著極高要求 ， 傳統內存技術在面對這些復雜任務時逐漸力不從心 ， HBM4 的誕生可謂恰逢其時 。 它通過垂直連接多個 DRAM 芯片 ， 顯著提升了數據處理速度 ， 成為推動 AI 技術進一步發展的關鍵因素 。
據報道 ， SK 海力士的國內主要競爭對手三星電子也已完成 HBM4 的內部開發 ， 正緊鑼密鼓地準備投入生產 。 兩家韓國科技巨頭均已向英偉達發送了樣品 ， 而英偉達計劃在其定于 2026 年發布的下一代 “Rubin” AI 加速器中采用 HBM4 。 這一系列動作表明 ， HBM4 在 AI 領域的應用前景廣闊 ， 各大廠商都希望借此搶占市場先機 。 隨著 HBM4 量產時間的日益臨近 ， 韓國媒體將目光聚焦在三大焦點問題上：SK 海力士與三星的戰略分歧、新設備供應商的崛起 ， 以及競爭對手的快速追趕態勢 。
三星的“創新” vs. SK 海力士的 “穩定”在人工智能數據中心對性能要求呈指數級增長的背景下 ， 內存設計和制造被推向了更為復雜的技術領域 。 業界此前曾普遍猜測 ， HBM4 的生產或許需要全新的混合鍵合技術 ， 以實現更高的性能和集成度 。 然而 ， SK 海力士卻選擇了一條更為穩健的路徑 ， 采用其成熟的 MR - MUF 技術的增強版本 。
MR - MUF 技術的核心在于 ， 在層間注入并固化液體保護材料 ， 以此改善散熱效果 ， 并在 DRAM 堆疊過程中最大程度減少翹曲現象 ， 這一技術長期以來都是 SK 海力士提升 HBM 性能的重要手段 。 此次應用于 HBM4 的制造 ， SK 海力士的 HBM4 采用在 10nm 節點制造的 1b DRAM（第五代）構建 ， 而基礎芯片則由臺積電運用其 12nm 工藝制造 。 這種組合方式在保證技術穩定性的同時 ， 能夠充分利用現有成熟技術的優勢 ， 快速實現量產 。
與之形成鮮明對比的是 ， 三星采取了更為激進的創新策略 。 三星在更為先進的節點上使用1c DRAM（第六代） ， 并利用自家的 4nm 代工工藝內部制造基礎芯片 。 從理論上講 ， 這種做法有望大幅提升產品性能 ， 但同時也伴隨著更高的風險和技術復雜性 。 先進節點的技術雖然潛力巨大 ， 但在實際生產過程中 ， 可能面臨諸如良率難以提升、成本過高等問題 。
簡而言之 ， 當前HBM 市場的領導者 SK 海力士 ， 正通過強調可靠性和可擴展性 ， 鞏固其市場地位；而挑戰者三星則押注于技術差異化 ， 試圖憑借創新重新奪回市場份額 。 這兩種截然不同的戰略選擇 ， 反映出兩家公司對于市場趨勢和自身優勢的不同判斷 ， 也為 HBM4 市場的競爭增添了更多不確定性 。
新玩家涌現SK 海力士與三星在技術路線上的分歧 ， 不僅體現在芯片制造環節 ， 也在設備供應商領域引發了連鎖反應 。 在 HBM 鍵合設備領域 ， 韓美半導體長期占據領先地位 。 近期 ， 韓美半導體在 SEMICON Taiwan 2025 展會上展示了一款升級版熱壓鍵合機（TC Bonder） 。 這款設備針對 HBM4 的生產需求進行了優化 ， 有望提高生產效率和產品質量 。 然而 ， 其混合鍵合系統的推出時間卻相對滯后 ， 預計要到 2027 年底才能面市 。
與此同時 ， 新興企業韓華半導體公司卻展現出了驚人的進取姿態 ， 宣稱最早將于2026 年推出自己的混合鍵合系統 。 如果韓華半導體能夠如期實現這一目標 ， 無疑將對現有的 HBM 鍵合設備市場格局產生巨大沖擊 。 混合鍵合技術作為下一代先進封裝的關鍵技術之一 ， 對于提高芯片集成度和性能具有重要意義 。 韓華半導體的介入 ， 將使得該領域的競爭更加激烈 ， 也為芯片制造商提供了更多選擇 。
其他地區加速追趕盡管全球HBM 市場的焦點主要集中在 “三巨頭”——SK 海力士、三星和美光身上 ， 但不容忽視的是 ， 中國在該領域正以驚人的速度追趕 。
在江蘇舉辦的第十三屆半導體設備、核心部件及材料展覽會（CSEAC 2025）上 ， 這種追趕的決心和實力得到了充分體現 。 參展商不僅展示了 3D DRAM 概念 ， 還推出了用于 HBM 封裝的實際熱粘合設備 。 這一系列展示清晰地表明了中國正在通過不斷投入研發和技術創新 ， 逐步縮小與國際領先水平的差距 。
從技術發展的角度來看 ， 業內普遍估計 ， 中國與韓國在先進DRAM 技術方面的差距已縮小至僅兩到三年 。 這一快速追趕的態勢 ， 得益于在半導體產業的大規模投入 ， 包括建設先進的研發中心、培養專業的技術人才以及完善產業鏈配套等 。 隨著技術差距的不斷縮小 ， 中國的半導體企業有望在全球 HBM 市場中占據更重要的地位 ， 對現有市場格局產生深遠影響 。
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