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20臺！SK 海力士狂買EUV光刻機

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20臺！SK 海力士狂買EUV光刻機

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本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合
SK海力士正在考慮提前啟動新的EUV生產線 ， 并與ASML保持緊密協商 ， 以加快設備交付速度 。

據報道 ， SK海力士計劃在未來兩年內新購置約20臺ASML 的EUV光刻系統 。 考慮到SK海力士目前持有約20臺用于研發和生產的EUV機臺 ， 這意味著這家存儲巨頭對此類設備的保有規模將在兩年內翻倍 。
EUV設備價格極其高昂 ， 每臺價值在3000億至5000億韓元之間 ， 且全球僅荷蘭ASML一家能夠生產 。 按單價計算 ， SK海力士此次投資規模預計至少在6萬億韓元以上 。 這些設備將被陸續引進并分布安裝在清州M15X工廠和利川M16工廠 。 M15X計劃在今年底投產 ， 將率先配置EUV設備；M16則會根據工藝轉換（Tech Migration）的路線圖逐步引入 。
一位熟悉情況的業內人士透露：“SK海力士正在考慮提前啟動新的EUV生產線 ， 并與ASML保持緊密協商 ， 以加快設備交付速度 。 ”
在SK海力士的兩大業務領域中 ， 內存端的EUV光刻工藝早已隨著2021年的1a nm DRAM實現商業化 ， EUV的應用規模也在隨著內存世代演進穩步提升 。 而由于AI發展對企業級高性能存儲尤其是HBM需求的提升 ， SK海力士需要更多的EUV設備來擴大先進DRAM內存的生產規模 。
【20臺！SK 海力士狂買EUV光刻機】除目前主要應用的Low-NA EUV光刻機 ， SK海力士本月早些時候還在存儲器業界引進了首臺量產型High-NA EUV光刻機 ， 即ASML的 TWINSCAN EXE:5200B ， 部署在韓國利川M16生產基地中 。
SK 海力士引入首臺量產型High NA EUV光刻機今年9月SK海力士宣布 ， 已將業界首款量產型高數值孔徑極紫外光刻機（High NA EUV）引進韓國利川M16工廠 。
此次引進的設備為荷蘭ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B ， 它是首款量產型High-NA EUV設備 。 與現有的EUV設備（NA 0.33）相比 ， 其光學性能（NA 0.55）提升了40% ， 這一改進使其能夠制作出精密度高達1.7倍的電路圖案 ， 并將集成度提升2.9倍 。
SK海力士計劃通過引進該設備 ， 簡化現有的EUV工藝 ， 并加快下一代半導體存儲器的研發進程 ， 從而確保在產品性能和成本方面的競爭力 。 SK海力士表示：“在全球半導體市場競爭愈發激烈的背景下 ， 公司已成功構建起快速研發并供應高端產品以滿足客戶需求的堅實基礎 。 通過與合作伙伴的密切協作 ， 公司將進一步提升全球半導體供應鏈的可靠性和穩定性 。 ”
ASML韓國公司總經理金丙燦社長表示：“High NA EUV是開啟半導體產業未來的核心技術 。 我們將與SK海力士緊密合作 ， 積極推動下一代半導體存儲器技術的創新進程 。 ”
SK海力士未來技術研究院長兼技術總管車宣龍副社長表示：“通過此次設備引進 ， SK海力士為實現公司未來技術發展愿景奠定了核心基礎設施 。 公司將以最先進技術 ， 為快速增長的AI和新一代計算市場開發所需高端存儲器 ， 引領面向AI的存儲器市場 。 ”
SK海力士成功完成HBM4開發9月12日 ， SK海力士宣布已成功完成面向AI的超高性能存儲器新產品HBM4的開發 ， 實現了全球最高水平的數據處理速度和能效 ， 并在全球首次構建了量產體系 。
據SK海力士介紹 ， 相比前一代產品（HBM3E） ， 新一代HBM4的數據傳輸通道（I/O）從1024條提升至2048條 ， 帶寬較之擴大一倍 ， 與此同時 ， 其HBM4實現了高達10Gbps（每秒10千兆比特）以上的運行速度 ， 這大幅超越JEDEC標準規定的8Gbps（每秒8千兆比特）；另外 ， 該產品能效提升40% 。 這意味著 ， 其HBM4不僅在單位時間內處理的數據量有了巨大提升 ， 還可降低數據中心電力成本 。
SK海力士預測 ， 將該產品引入客戶系統后 ， AI服務性能最高可提升69% 。 這能讓AI訓練和推理更快、更高效 。
SK海力士在HBM4的開發過程中采用了自研的MR-MUF封裝技術和第五代10納米級（1b）DRAM工藝 ， MR-MUF工藝指在堆疊半導體芯片后 ， 通過向芯片間隙注入液態保護材料并固化的方式保護層間電路 ， 相較逐層堆疊芯片時鋪設薄膜材料的傳統方式 ， 該工藝效率更高且散熱效果優異 。
SK海力士AI Infra部門總裁兼首席營銷官金柱善（Kim Ju Seon）表示：“HBM4是突破AI基礎設施局限性的標志性轉折點 ， SK海力士將通過及時供應AI時代所需的最高品質和多樣化性能內存 ， 成長為一家全棧式AI內存提供商 。 ”
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