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存儲行業，超級周期勢頭強勁

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存儲行業，超級周期勢頭強勁

【存儲行業，超級周期勢頭強勁】本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合
DRAM庫存創歷史新低 ， HBM短缺推動價格上漲 ， 分析師預測2027年將迎來周期高峰 。
隨著DRAM半導體庫存跌至歷史最低水平 ， 分析認為 ， 七年來首個“半導體超級周期”正在蓄勢待發 。
近期 ， 受人工智能熱潮推動的HBM（高帶寬存儲器）需求激增、NVIDIA的供應商選擇以及特朗普政府加征的關稅等因素影響 ， 全球存儲器半導體行業經歷了快速變革 。 然而 ， 所有情況都表明DRAM需求將增加 ， 而供應將出現短缺 ， 因此人們預期 ， 長期超級周期可能會持續數年 。
據市場研究公司 TrendForce 的數據 ， 截至今年第三季度末 ， 全球 DRAM 供應商的平均庫存為 3.3 周 ， 創歷史新低 。 這與 2018 年半導體超級周期期間 3-4 周的平均庫存水平相似 。 盡管 DRAM 買家的平均庫存約為 10 周 ， 但需求依然強勁 。
需求激增始于人工智能 (AI) 。 隨著人工智能熱潮的興起 ， 用于 AI 訓練和運營的英偉達 (NVIDIA) AI 加速器的價值不斷提升 ， 導致搭載于這些加速器中的 HBM 需求激增 。 HBM 的制造過程類似于公寓 ， 將 DRAM 堆疊捆綁在一起 。
三星電子等內存半導體公司已將其 DRAM 生產線轉為 HBM 使用 ， 導致 DRAM 整體產量下降 。 此外 ， 2017 年至 2018 年期間大規模建設的數據中心即將迎來服務器更新換代 ， 這增加了服務器中使用的通用 DRAM 的需求 。 與 DRAM 一起搭載于服務器的 eSSD 的需求也在激增 。
面對供應短缺 ， 半導體公司并未倉促增產 ， 而是持續進行長期投資 。 一位科技行業人士表示：“特朗普發起的關稅政策等不確定性因素太多 ， 所以我們會從長遠角度考慮生產設施的投資 。 ”
由于供應跟不上需求 ， 價格飆升 。 據TrendForce 報道 ， 通用產品“DDR4 8Gb”價格持續上漲 ， 達到6350美元 ， 創下年內新高 。 “DDR5 16G”價格為7535美元 ， 較年初上漲逾40% 。 據報道 ， 三星電子和SK海力士計劃在現有基礎上提高DRAM價格 。
預計這種情況將持續一段時間 。 摩根士丹利預測 ， 本輪半導體周期的頂峰將在2027年到來 ， 預計繁榮期將持續一年以上 。 證券行業預測 ， 三星電子和SK海力士今年第三季度的營業利潤將超過10萬億韓元 。 KB證券分析師金東元表示：“三星電子被認為是半導體復蘇周期的最大受益者 ， 因為它可以通過擴建平澤工廠 ， 確保從HBM到DRAM和NAND的業內最大產能 。 ”
內存半導體的短缺反而成了對抗特朗普政府半導體關稅的武器 。 一位科技行業人士表示：“如果特朗普設定高額的半導體關稅 ， 在DRAM半導體需求已經不足的情況下 ， 美國企業將不得不以更高的價格購買 。 ”
“我們預計外資將繼續流入韓國芯片股 ， ”Allspring Global Investments的投資組合經理Gary Tan表示 。 “圍繞這些公司的樂觀情緒的最終推動力 ， 仍然是美國大規模的人工智能基礎設施建設 ， 各大科技公司公布的重大資本支出計劃為其提供了支撐 。 ”
全球領先的AI處理器制造商英偉達繼續大量采購最先進的HBM芯片 ， 隨著AMD和博通公司的AI加速器贏得更多客戶 ， 這些公司預計也將加大采購力度 。
Tan還表示 ， 隨著中國AI芯片越來越多地采用HBM ， 其不斷增長的需求應該會帶來額外的利好 。
與此同時 ， 圍繞傳統DRAM和NAND芯片的悲觀情緒如今正在消散 。 今年早些時候 ， 就在人工智能熱潮引發芯片股大幅上漲之際 ， 謹慎的權威人士還曾警告稱 ， 其它半導體領域正因智能手機和汽車市場的疲軟而受到沖擊 。
但在芯片制造商競相將產能轉移到利潤更豐厚的HBM后 ， 傳統存儲芯片預計將在2026年出現供應短缺 。 這應該會支撐DRAM和NAND的價格 。 此外 ， 美聯儲降息可能有助于支撐美國這個全球最大經濟體的增長 ， 從而刺激芯片銷售 。
“隨著美聯儲開啟寬松周期 ， 人工智能芯片股的勢頭正在復蘇 ， ” 斐波那契全球資產管理私人有限公司（Fibonacci Asset Management Global Pte．）首席執行官Jung In Yun表示 。 “預計韓國企業將持續獲得外國基金的資金流入 ， 因為它們的估值比美國企業更便宜 。 ”
即使本月股價上漲了24% ， 三星電子的預期市盈率仍僅為14倍 ， 而SK海力士的股價本月飆升了33% ， 市盈率僅為7倍 。 相比之下 ， 美國主要芯片制造商的市盈率約為26倍 。
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