LPDDR6內存標準，正式發布！_三星|ai|高通

文章圖片

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合
【LPDDR6內存標準，正式發布！】新版JESD209-6 LPDDR6 標準是內存技術的重大進步，在性能、能效和安全性方面均有提升。

JEDEC 固態技術協會發布 JESD209-6 ，即最新的低功耗雙倍數據速率 6（LPDDR6）標準。 JESD209-6 旨在顯著提升多種應用場景（包括移動設備和人工智能）的內存速度與效率。 JEDEC 稱，新版 JESD209-6 LPDDR6 標準是內存技術的重大進步，在性能、能效和安全性方面均有提升。

高性能為支持人工智能應用及其他高性能工作負載， LPDDR6 采用雙子通道架構，在保持 32 字節小訪問粒度的同時實現靈活操作。此外， LPDDR6 的主要特性還包括：

每顆芯片含2 個子通道，每個子通道有 12 條數據信號線（DQs），以優化通道性能。
每個子通道包含4 條命令 / 地址（CA）信號，經優化減少焊球數量并提高數據訪問速度。
靜態效率模式，旨在支持大容量內存配置并最大化存儲體資源利用率。
靈活的數據訪問，支持實時突發長度控制，可實現32B 和 64B 訪問。
動態寫入NT-ODT（非目標片上終端），使內存能根據工作負載需求調整 ODT ，提升信號完整性。

能效為滿足不斷增長的能效需求，與LPDDR5 相比， LPDDR6 采用更低電壓和低功耗的 VDD2 供電，并強制要求 VDD2 采用雙電源設計。其他節能特性包括：

采用交替時鐘命令輸入，提升性能與效率。
低功耗動態電壓頻率調節（DVFSL），在低頻運行時降低 VDD2 電壓，減少功耗。
動態效率模式，在低功耗、低帶寬場景下采用單子通道接口。
支持部分自刷新和主動刷新，降低刷新功耗。

安全性與可靠性相較于上一版本標準，安全性和可靠性方面的改進包括：

每行激活計數（PRAC），支持 DRAM 數據完整性。
定義隔離元模式，通過為關鍵任務分配特定內存區域，提升整體系統可靠性。
支持可編程鏈路保護方案和片上糾錯碼（ECC）。
能夠支持命令/ 地址（CA）奇偶校驗、錯誤清理以及內存內置自測試（MBIST），增強錯誤檢測能力和系統可靠性。

日前，三星電子設備解決方案（DS）部門副董事長全永鉉宣布，三星將于今年下半年通過第六代“1c DRAM”工藝量產下一代LPDDR6內存，并計劃向高通等科技巨頭供貨。
據悉， 1c DRAM是DRAM制造的第六代工藝節點，相比前代技術，其晶體管密度更高、能效比更優。三星通過“設計變更”戰略，將1c DRAM的冷態良率提升至50% ，熱態良率達60%-70% ，并計劃在韓國華城工廠建設新生產線，擴大產能。 LPDDR6內存基于1c工藝開發，帶寬和功耗表現顯著提升，可滿足AI模型訓練、移動終端算力升級等場景對內存性能的嚴苛需求。
據行業消息，高通下一代旗艦芯片“驍龍8 Elite Gen2”將首發支持LPDDR6內存，并計劃于今年9月23日的驍龍峰會上亮相。
隨著AI應用向終端設備下沉， LPDDR6內存的帶寬與能效成為關鍵競爭力。三星計劃通過向高通等廠商供貨，進一步滲透智能手機、筆記本電腦及AI服務器市場，強化其技術壁壘。此外，三星還在HBM4等高端存儲產品中部署1c DRAM技術，構建覆蓋AI全場景的內存解決方案。
目前，三星已制定1c DRAM擴產計劃，預計最早于今年年底完成韓國華城工廠生產線建設。此外，該公司正同步開發DDR與LPDDR用1c DRAM ，打破傳統開發順序，加速商業化進程。
LPDDR6 將取代現有的 LPDDR5 內存及其衍生版本，而 LPDDR5 標準早在 2019 年就已經發布。距離 LPDDR5 標準問世已有將近五年時間，在這段時間里，三星和美光推出了 LPDDR5x ， SK 海力士也推出了 LPDDR5T ，其傳輸速率高達 9.6 Gbps 。這些低功耗的 DRAM 內存非常適合智能手機、輕薄型設備甚至筆記本電腦 / 迷你臺式機等強調低功耗的設備。
采用LPDDR5 (X / T) 規格的內存模組正越來越多地出現在各種產品中。例如， LPCAMM2 模組憑借其小巧的模塊化外形尺寸、更大的容量和更高的可升級性，將徹底改變 PC 內存市場。
此外，最近上市的LPCAMM2 模組采用了 LPDDR5 (X / T) 的變種，由于其小巧的模塊化外形尺寸，能夠提供更大的容量和可升級性，將改變 PC 市場格局。
*聲明：本文系原作者創作。文章內容系其個人觀點，我方轉載僅為分享與討論，不代表我方贊成或認同，如有異議，請聯系后臺。
想要獲取半導體產業的前沿洞見、技術速遞、趨勢解析，關注我們！