1. 首頁 > 生活百科 > >

瞄準先進節點，盛美上海濕法清洗設備升級

人工智能ai通信業遼寧省

瞄準先進節點，盛美上海濕法清洗設備升級


此次全新升級旨在滿足先進節點制造工藝的苛刻技術要求 。
7月25日 ， 盛美上海宣布對其Ultra C wb濕法清洗設備進行了重大升級 。 此次全新升級旨在滿足先進節點制造工藝的苛刻技術要求 。
盛美上海是一家為半導體前道和先進晶圓級封裝應用提供晶圓工藝解決方案的供應商 。 公司產品覆蓋了前道半導體工藝設備 ， 包括清洗設備、半導體電鍍設備、立式爐管系列設備、涂膠顯影Track設備、等離子體增強化學氣相沉積PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）設備、無應力拋光設備；以及后道先進封裝工藝設備、硅材料襯底制造工藝設備等 。
Ultra C wb ， 是盛美上海推出的自動槽式清洗設備 ， 依托自研的槽式與單片清洗集成設備Ultra C Tahoe的先進槽式技術基礎而開發 ， 可以進行多達50片晶圓的批量清洗 。 自動槽式清洗設備的關鍵應用為爐管前清洗 ， RCA清洗 ， 光阻去除 ， 氧化層刻蝕 ， 氮化硅去除 ， 以及晶圓回收工藝中前段FEOL多晶硅/氧化硅層剝離去除 ， 和后段BEOL金屬層剝離去除 。
該設備可針對不同的應用配置不同的化學藥液槽 ， 如硫酸 ， 磷酸 ， 氫氟酸(HF) ， 緩沖氧化物刻蝕液(BOE) ，SC1和SC2等化學藥液槽 。 晶圓依次在化學藥液槽中浸泡 ， 經去離子水(DI)沖洗 ， 最后在ATOMO干燥模塊中以汽化的異丙醇(IPA)進行干燥 ， 干燥后無水痕 。 該設備可運用于200毫米或者300毫米的晶圓清洗應用 。
傳統的濕法刻蝕工藝在高深寬比結構中常面臨均勻性差和副產物二次沉積的挑戰 。 升級后的Ultra C wb設備通過氮氣鼓泡技術 ， 有效解決了濕法刻蝕均勻性差和副產物二次沉積問題 。 在先進節點制造工藝中 ， 這些問題常見于高深寬比溝槽和通孔結構的傳統磷酸濕法清洗工藝 。
值得一提的是氮氣鼓泡技術目前正處于專利申請階段 ， 該技術不但提升了磷酸傳輸效率 ， 而且提高了濕法刻蝕槽內溫度、濃度和流速的均勻性 。 這項技術在500層以上的3D NAND ， 3D DRAM ， 3D邏輯器件中有巨大的應用前景 。
盛美上?？偨浝硗鯃员硎?， 性能提升始終是首要的追求 ， 通過專利申請中的集成氮氣鼓泡技術 ， 盛美提升了Ultra C wb設備的工藝性能 。 批式處理工藝始終是濕法加工領域的關鍵環節 ， 與單晶圓濕法清洗相比 ， 其在成本效益、生產效率及化學品消耗方面具有顯著優勢 。
具體而言 ， 升級后的Ultra C wb設備具有以下全新特性與優勢：
1.提升蝕刻均勻性 。 相較于傳統的槽式濕法清洗設備 ， Ultra C wb平臺配備了氮氣鼓泡技術 ， 將晶圓內以及晶圓間的濕法刻蝕均勻性提高了50%以上 。
2.提高顆粒去除性能 。 在先進節點工藝中 ， Ultra C wb平臺的卓越清洗能力已被證明能夠高效去除特殊磷酸添加劑的有機殘留物 。
3.擴展工藝能力 。 升級后的清洗臺模塊已通過三道先進節點工藝驗證 ， 包括：疊層氮化硅蝕刻、溝道孔多晶硅蝕刻以及柵極線鎢蝕刻 ， 可搭配多種化學藥液使用 ， 如磷酸、H4刻蝕液（一種常用于金屬薄膜蝕刻的混合酸溶液）、四甲基氫氧化銨（TMAH）、標準清洗液1（SC1 ）以及硅鍺（SiGe）刻蝕液等 。 此外 ， 更多道工藝及應用方案正在客戶工廠進行開發 。
4.自主知識產權設計 。 專利申請中的氮氣鼓泡設計可生成均勻分布的大尺寸氣泡 ， 且氣泡密度精準可控 。 該專利申請的氮氣鼓泡核心技術可以應用在盛美上海的Ultra C Tahoe（單片槽式組合清洗設備）平臺上 ， 更好地解決客戶未來的工藝需求 。
*聲明：本文系原作者創作 。 文章內容系其個人觀點 ， 我方轉載僅為分享與討論 ， 不代表我方贊成或認同 ， 如有異議 ， 請聯系后臺 。
【瞄準先進節點，盛美上海濕法清洗設備升級】想要獲取半導體產業的前沿洞見、技術速遞、趨勢解析 ， 關注我們！

    推薦閱讀