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存儲大廠SK海力士開始量產321層QLC NAND閃存

人工智能aisk海力士閃存

存儲大廠SK海力士開始量產321層QLC NAND閃存

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  • 完成現有最高集成度的QLC產品開發 ， 經過客戶驗證后 ， 計劃于明年上半年上市
  • 通過擴大應用獨立運行單位“plane” ， 同時實現了高容量和高性能 ， 特別適用于AI服務器的超高容量eSSD
  • “將擴大具有成本競爭力的高容量產品陣容 ， 以應對迅速增長的AI需求和高性能要求”
2025年8月25日 ， SK海力士宣布 ， 已開發出321層2Tb（太比特 ， Terabit） QLC* NAND閃存產品 ， 并開始量產 。
SK海力士表示：“公司全球率先完成300層以上的QLC NAND閃存開發 ， 再次突破了技術極限 。 該產品在現有的NAND閃存產品中擁有最高的集成度 ， 經過全球客戶公司的驗證后 ， 計劃于明年上半年正式進入AI數據中心市場 。 ”
公司為了最大限度地提高此次產品的成本競爭力 ， 將其開發為與現有產品相比容量翻倍的2Tb產品 。

一般來說 ， NAND閃存容量越大 ， 單元中儲存的信息越多 ， 并且存儲器管理越復雜 ， 導致數據處理速度就越慢 。 為此 ， 公司通過將NAND閃存內部可獨立運行的平面*（Plane）架構從四平面擴展為六平面 ， 從而提升了并行處理能力 ， 緩解了因大容量導致的性能下降問題 。
因此 ， 該產品不僅實現了高容量 ， 而且性能也較以往的QLC產品大幅提升 。 數據傳輸速度提高了一倍 ， 寫入性能最多提升了56% ， 讀取性能也提升了18% 。 同時 ， 數據寫入能效也提高了23%以上 ， 在需要低功耗的AI數據中心等領域也具備了更強的競爭力 。

公司計劃首先在電腦端固態硬盤（PC SSD）上應用321層NAND閃存 ， 隨后逐步擴展到面向數據中心的企業級固態硬盤（eSSD）和面向智能手機的嵌入式存儲（UFS）產品 。 此外 ， 公司也將基于堆疊32個NAND晶片的獨有封裝*技術 ， 實現比現有高出一倍的集成度 ， 正式進入面向AI服務器的超高容量eSSD市場 。
SK海力士NAND開發擔當鄭羽杓副社長表示：“此次產品開始量產 ， 大幅強化了高容量存儲產品組合 ， 同時確保了成本競爭力 。 為了應對迅速增長的AI需求和數據中心市場的高性能要求 ， 我們將作為‘全方位面向AI的存儲器供應商（Full Stack AI Memory Provider）’ ， 實現更大的飛躍 。 ”
* NAND閃存芯片根據每個單元（Cell）可以存儲的信息量（比特bit） ， 分為SLC（Single level Cell1位）、MLC（Multi Level Cell2位）、TLC（Triple Level Cell3位）、QLC（Quadruple Level Cell4位）、PLC（Penta Level Cell5位）等不同規格 。 單元的信息存儲容量越大 ， 意味著單位面積內可儲存的數據越多 。
* 平面（Plane）：是指可以在單一芯片內能夠獨立運行的單元和外圍電路 。 將其從4個增加至6個 ， 改善了數據處理性能（Data Bandwidth）之一的同時讀取性能 。
【存儲大廠SK海力士開始量產321層QLC NAND閃存】* 32DP（32 Die Package）：是指為了提升芯片（Chip）容量 ， 將32個Die（裸芯）封裝在同一封裝中的方式

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