text":"近日 ， 國內半導體設備廠商接連傳來利好消息 ， 盛美上海推出首款KrF前道涂膠顯影設備；中微公司亦重磅發布六大半導體設備新產品 。 盛美上海方面 ， 該公司首臺高產能KrF工藝前道涂膠顯影設備Ultra Lith KrF系統已順利交付中國頭部邏輯晶圓廠客戶 。 該系統的問世標志著盛美上海光刻產品系列的重要擴充 ， 具有高產能、先進溫控技術以及實時工藝控制和監測功能 。 據盛美上海介紹 ， 該設備配備12個旋涂腔和12個顯影腔（12C12D） ， 并搭載54塊可精確控溫的熱板 ， 支持低溫、中溫及高溫工藝處理 ， 具備優異的熱均勻性 。 該設備產能超過300片晶圓/小時（WPH） ， 并集成盛美上海專利申請中的背面顆粒去除模塊（BPRV） ， 有效降低交叉污染風險 。 中微公司方面 ， 9月4日 ， 中微公司重磅推出六款半導體設備新產品 ， 覆蓋等離子體刻蝕（Etch）、原子層沉積（ALD）及外延（EPI）等關鍵工藝 。 具體來看 ， 在刻蝕技術方面 ， 中微公司此次發布了兩款新品 ， CCP電容性高能等離子體刻蝕機Primo UD-RIE?與Primo Menova? 12寸ICP單腔刻蝕設備 ， 前者為生產先進存儲芯片提供了有力保障 ， 后者則廣泛適用于功率半導體、存儲器件及先進邏輯芯片制造 ， 該設備的全球首臺機已于今年6月付運到客戶認證 ， 進展順利 。 薄膜沉積方面 ， 此次中微公司推出了12英寸原子層沉積產品Preforma Uniflash?金屬柵系列 ， 涵蓋Preforma Uniflash? TiN、Preforma Uniflash? TiAI及Preforma Uniflash? TaN三大產品 ， 能夠滿足先進邏輯與先進存儲器件在金屬柵方面的應用需求 。 新興技術領域 ， 中微公司發布的全球首款雙腔減壓外延設備PRIMIO Epita? RP可滿足從成熟到先進節點的邏輯、存儲和功率器件等多領域外延工藝需求 。 據中微公司介紹 ， 該設備已于去年8月付運到客戶進行成熟制程和先進制程驗證 ， 進展順利 。 "
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