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三星存儲芯片，重奪全球第一

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【三星存儲芯片，重奪全球第一】三星存儲芯片，重奪全球第一

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Counterpoint Research最新數據表明 ， 三星電子第三季度重新奪回了全球存儲芯片市場第一的位置 。
根據行業追蹤機構Counterpoint Research編制的數據 ， 三星包括動態隨機存取存儲器（DRAM）和NAND閃存在內的存儲芯片的總銷售額在第三季度達到194億美元 ， 環比增長25% ， 位列第一 。

SK海力士第三季度的銷售額為175億美元 ， 同比增長13% 。
Counterpoint Research認為 ， 三星電子第三季度的業績得益于DRAM和NAND閃存的需求強勁 。
三星電子近日公布了其2025年第三季度的初步業績數據 ， 數據顯示 ， 三星電子當季合并銷售額預計達到85萬億至87萬億韓元 ， 較去年同期增長超過7.4% 。 同時 ， 合并營業利潤也大幅攀升 ， 預計在12萬億至12.2萬億韓元之間 ， 同比增長率超過30.7% ， 這一數字創下了近年來的新高 。
該機構還預測 ， 憑借新一代高帶寬存儲器（HBM） ， 明年三星電子將迎來全面復蘇 。 Counterpoint還表示 ， 三星電子在今年第四季度也有可能保持全球存儲芯片市場第一的位置 。
據韓媒報道 ， 三星電子正考慮解散致力于提升其 10納米級第六代（1c）DRAM良率的特別工作組 ， 轉而全力沖刺 HBM4量產 ， 以期在與 SK海力士的競爭中占據有利地位 。 這一策略調整 ， 也預示著 HBM市場競爭格局的進一步演變 。
10nm級DRAM制程技術的發展順序為：1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）、1a（第四代）、1b（第五代） 。 隨著第六代（1c）制程的推進 ， 線寬進一步變窄 ， 制程難度呈指數級增長 ， 容量和性能也隨之提升 。
業內猜測 ， 三星電子此舉的核心在于加速進入英偉達的 HBM4供應鏈 。 為了搶占市場份額 ， 即使 1cDRAM良率未能達到預期 ， 三星仍計劃優先量產 HBM4 。 據悉 ， 目前用于 HBM4的 1c DRAM在冷測試中良率未能達到50% ， 距離量產所需的60%仍有差距 。 而 SK海力士已于今年9月率先建立 HBM4量產系統 ， 并采用 1b DRAM作為其 HBM4核心芯片 。 三星電子的這一決策 ， 無疑是一場豪賭 ， 能否在良率受限的情況下 ， 憑借更優異的 HBM4性能 ， 改變 SK海力士占據主導地位的市場格局 ， 將是關鍵 。
與此同時 ， 三星電子在 HBM4E技術方面也展現出強勁的競爭力 。 在 OCP 2025全球峰會上 ， 三星電子公布了正在開發的 HBM4E的目標帶寬 ， 計劃于2027年實現超過3TB/s 。 該目標帶寬是當前 HBM3E的2.5倍 ， 并計劃將每針速度提升至每秒13Gbps以上 。 這一技術突破 ， 無疑將加劇下一代 HBM的速度競爭 。 值得注意的是 ， 英偉達對 HBM4的帶寬提出了更高要求 ， 促使三星電子將 HBM4的針腳速度提升至11Gbps ， 這也在一定程度上加速了 HBM4E的研發進程 。
本月初三星電子還與知名科技公司OpenAI簽署了合作意向書 。 根據協議 ， 三星電子將成為OpenAI的戰略存儲合作伙伴 ， 為OpenAI的全球“星門計劃”提供關鍵的半導體解決方案 。 據悉 ， OpenAI對存儲芯片的需求量巨大 ， 預計每月將需要高達90萬片的DRAM（動態隨機存取存儲器）晶圓 ， 三星電子將承擔起滿足這一需求的重要任務 。
美光科技近期宣布已開始送樣下一代HBM4內存 ， 其帶寬突破2.8TB/s ， 引腳速度超過11Gbps ， 大幅超越JEDEC官方標準 。 該公司CEO桑杰·梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）表示 ， 該12層堆疊產品采用1-gamma DRAM及自研CMOS晶圓封裝技術 ， 具備行業領先的能效表現 。 美光預計 ， 今年HBM業務收入將超80億美元 ， 并希望通過與臺積電合作開發的定制邏輯晶圓技術獲取更高利潤 。 2026年第一季度 ， 公司營收將達125億美元 。
SK海力士作為HBM領域龍頭 ， 早于今年3月便已向英偉達等客戶送樣12層HBM4產品 ， 采用臺積電12nm邏輯晶圓工藝 ， 數據處理速度超2TB/s ， 并于9月啟動量產準備 。 不僅如此 ， 該公司還計劃為英偉達、博通和AMD等客戶提供定制化HBM4E產品 。 三星電子同樣在今年9月向客戶送樣運行速度達11Gbps的HBM4產品 ， 并力爭年內啟動量產 。
因此 ， 接下來的存儲市場 ， 或許即將開啟新一輪競賽 。
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