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首個EUV光刻膠標準，立項！

上海市芯片半導體光刻膠

首個EUV光刻膠標準，立項！
近日 ， 國家標準委網站公布 ， 我國首個EUV光刻膠標準——《極紫外（EUV）光刻膠測試方法》作為擬確立標準 ， 自10月23日起公開征詢意見 ， 截止日期為11月22日 。 該標準由上海大學、張江國家實驗室、上海華力集成電路制造有限公司、上海微電子裝備（集團）股份有限公司共同負責起草 。

極紫外（EUV）光刻膠作為半導體制造進入3 nm及以下節點的核心材料 ， 其性能直接決定了芯片制造的良率與制程精度 ， 對我國集成電路產業實現自主可控發展具有重大戰略意義 。 當前 ， 隨著全球半導體產業向先進制程加速演進 ， EUV光刻技術已成為7 nm及以下節點的唯一量產方案 。
然而 ， 與之配套的EUV光刻膠市場長期被日美企業壟斷（JSR、東京應化等占據超過95%全球市場份額） ， 導致我國高端芯片制造面臨嚴重的供應鏈安全風險 。
在國內晶圓廠擴產潮持續高漲、5G和人工智能等領域對先進芯片需求激增的背景下 ， EUV光刻膠的國產化率為零 ， 研發也仍處于起步階段 ， 亟需突破材料自主化與標準化壁壘 。
EUV光刻膠需要滿足超高真空環境（10??~10?? Pa）下的低釋氣污染、納米級分辨率以及原子級純度（金屬雜質<10 ppb）等嚴苛的技術要求 。
然而 ， 目前國內在EUV光刻膠測試領域尚未建立統一的技術規范 ， 現有測試方法多沿用國外企業標準 ， 導致在靈敏度（E0）、線邊緣粗糙度（LER）等核心性能指標的檢測流程上缺乏標準化 ， 這不僅使得國產材料的驗證周期長達1-2年 ， 更嚴重制約了我國光刻膠產業的自主創新發展 。
為應對這一挑戰 ， 制定《極紫外（EUV）光刻膠測試方法》標準具有重要的現實意義 。 該標準將系統性地整合材料特性和性能參數 ， 重點規范EUV光刻膠在純度、抗蝕性、線邊緣粗糙度、線寬粗糙度、釋氣污染、粘度、顆粒度、分辨率、靈敏度和對比度等關鍵性能指標的測試方法 。
通過銜接《半導體光刻膠用樹脂技術規范》等國內現有標準 ， 構建覆蓋\"原材料-光刻膠-芯片制造\"的全鏈條標準體系 ， 為材料研發、生產制造和晶圓廠應用提供科學規范的評估依據 。 本標準的制定不僅能夠填補國內在該領域的技術標準空白 ， 更將通過建立統一的測試方法體系 ， 為國內外EUV光刻膠的性能評價提供客觀標尺 。
具體而言 ， 標準實施后將實現三大目標：一是推動測試數據互認 ， 降低晶圓廠對國產材料的導入風險；二是促進測試設備國產化替代 ， 有效壓縮研發成本；三是加速實現從\"進口依賴\"到\"自主可控\"的產業躍遷 。
項目旨在通過對EUV光刻膠各項性能要求的系統分析、歸納和總結 ， 制定科學合理的測試方法通用規范 ， 為我國EUV光刻膠關鍵核心技術的突破提供標準化支撐 ， 最終推動國內高端光刻膠產業實現高質量可持續發展 ， 提升我國在全球半導體材料領域的話語權和競爭力 。
本文件規定了極紫外光刻膠的測試方法 ， 主要包括純度測試方法、化學結構測試方法、抗蝕性能測試方法、線邊緣粗糙度和線寬粗糙度測試方法、釋氣污染測試方法、黏度測試方法、顆粒度測試方法、分辨率測試方法和靈敏度和對比度測試方法 。
國家自然科學基金重大項目-高端光刻膠先進工藝仿真及染料分子服役特性工程基礎研究、張江國家實驗室科技攻關專項課題：極紫外光刻膠關鍵技術攻關專項、上海張江國家自主創新示范區專項發展資金重大項目“放電等離子放電等離子體型（DPP）極紫外光刻膠檢測裝置研制”、電子信息產業質量基礎設施體系建設、發展分析及重要標準和可靠性突破 。
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