根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究 ， AI HPC（高效能運算）對異質(zhì)整合的需求依賴先進封裝達成 ， 其中的關鍵技術即是TSMC（臺積電）的CoWoS解決方案 。 然而 ， 隨著云端服務業(yè)者（CSP）加速自研ASIC ， 為整合更多復雜功能的芯片 ， 對封裝面積的需求不斷擴大 ， 已有CSP開始考量從TSMC的CoWoS方案 ， 轉(zhuǎn)向Intel（英特爾）的EMIB技術 。
TrendForce集邦咨詢表示 ， CoWoS方案將主運算邏輯芯片、存儲器、I/O等不同功能的芯片 ， 以中介層（Interposer）方式連結(jié) ， 并固定在基板上 ， 目前已發(fā)展出CoWoS-S、CoWoS-R與CoWoS-L等技術 。 隨著NVIDIA（英偉達） Blackwell平臺2025年進入規(guī)模量產(chǎn) ， 目前市場需求已高度傾向內(nèi)嵌硅中介層的CoWoS-L ， NVIDIA下世代的Rubin亦將采用 ， 并進一步推升光罩尺寸 。
AI HPC需求旺盛導致CoWoS面臨產(chǎn)能短缺、光罩尺寸限制 ， 以及價格高昂等問題 。 TrendForce集邦咨詢觀察 ， 除了CoWoS多數(shù)產(chǎn)能長期由NVIDIA GPU占據(jù)、其他客戶遭排擠 ， 封裝尺寸以及美國制造需求 ， 也促使Google（谷歌）、Meta等北美CSP開始積極與Intel接洽EMIB解決方案 。
TSMC挾技術優(yōu)勢主導先進封裝前期市場 ， Intel以面積、成本優(yōu)勢應戰(zhàn)
相較于CoWoS ， EMIB擁有數(shù)項優(yōu)勢：首先是結(jié)構(gòu)簡化 ， EMIB舍棄昂貴且大面積的中介層 ， 直接將芯片使用內(nèi)嵌在載板的硅橋（Bridge）方式進行互連 ， 簡化整體結(jié)構(gòu) ， 相對于CoWoS良率更高 。 其次是熱膨脹系數(shù)（Coefficient of Thermal Expansion CTE）問題較小 ， 由于EMIB只在芯片邊緣嵌硅橋 ， 整體硅比例低 ， 因此硅與基板的接觸區(qū)域少 ， 導致熱膨脹系數(shù)不匹配的問題較小 ， 較不容易產(chǎn)生封裝翹曲與可靠度挑戰(zhàn) 。
EMIB在封裝尺寸也較具優(yōu)勢 ， 相較于CoWoS-S僅能達到3.3倍光罩尺寸、CoWoS-L目前發(fā)展至3.5倍 ， 預計在2027年達9倍；EMIB-M已可提供6倍光罩尺寸 ， 并預計2026到2027年可支援到8倍至12倍 。 價格部分 ， 因EMIB舍棄價格高昂的中介層 ， 能為AI客戶提供更具成本優(yōu)勢的解決方案 。
【AI催生超大封裝需求，Intel EMIB與TSMC CoWos技術對比】然而 ， EMIB技術也受限于硅橋面積與布線密度 ， 可提供的互連帶寬相對較低、訊號傳輸距離較長 ， 并有延遲性略高的問題 。 因此 ， 目前僅ASIC客戶較積極在評估洽談導入 。
TrendForce集邦咨詢指出 ， Intel自2021年宣布設立獨立的晶圓代工服務（Intel Foundry Services IFS）事業(yè)群 ， 耕耘EMIB先進封裝技術多年 ， 已應用至自家Server CPU平臺Sapphire Rapids和Granite Rapids等 。 隨著Google決定在2027年TPUv9導入EMIB試用 ， Meta亦積極評估規(guī)劃用于其MTIA產(chǎn)品 ， EMIB技術有望為IFS業(yè)務帶來重大進展 。 至于NVIDIA、AMD（超威）等對于帶寬、傳輸速度及低延遲需求較高的GPU供應商 ， 仍將以CoWoS為主要封裝解決方案 。
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