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聯電與Polar達成合作，8英寸晶圓美國造

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聯電與Polar達成合作，8英寸晶圓美國造

成熟制程晶圓代工廠聯電宣布 ， 與美國高壓、功率及感測半導體專業代工廠Polar Semiconductor ，LLC（Polar）簽署合作備忘錄（MOU） ， 雙方將就美國本土8寸晶圓制造的深度合作展開洽談 。
據悉 ， 該合作聚焦在Polar近期擴建的明尼蘇達州8寸廠 ， 聯電將結合其8寸工藝技術組合與龐大的全球客戶基礎 ， 與Polar穩健的在地制造能力互補 ， 共同選定具體生產項目 。 鑒于此次合作呼應了美國強化本土半導體制造的國家戰略 ， 因此 ， 有分析認為 ， 該合作可望受惠《芯片法案》或其他后續政策支持及相關產業投資 。
聯電全球業務資深副總經理張士昌表示：“在聯電致力透過多元的制程技術及全球布局 ， 為客戶提供彈性的供應鏈選擇 。 ”
Polar營銷副總經理Ken Obuszewski表示：“此次戰略合作充分體現Polar滿足本土半導體制造日益增長需求的決心 ， 憑借在功率及傳感領域的專業技術與在地優勢 ， 與聯電的合作將有效推動業務成長 。 ”
業內人士認為 ， 該布局反映聯電以攜手美國在地晶圓廠方式 ， 進行全球布局 。 全球地緣政治風險升高為主要考量 ， 聯電透過綁定美國本土產能 ， 能有效降低客戶在航天、國防等對供應安全敏感之產業面臨的風險 。 相較于臺積電透過直接設廠方式 ， 更具備營運杠桿彈性 ， 不過未來在主導權則視雙方投入而定 。
除了Polar ， 2024年初 ， 聯電與英特爾建立了戰略合作伙伴關系 ， 雙方將合作開發12nm工藝平臺 ， 以應對移動、通信基礎設施和網絡等高增長市場的需求 。 該項目將在2026年會完成相關的工藝開發和驗證工作 ， 預計2027年投產 。
據悉 ， 聯電與英特爾12納米合作進展順利 ， 將于明年1月正式提供客戶制程設計套件（PDK） ， 2027年上半年交付制造（tape-out） ， 并開始逐步貢獻營收 。 供應鏈消息 ， 聯電在先進封裝領域亦在發力 ， 包括嵌入式深溝槽電容（DTC）、Wafer-to-Wafer堆疊等 ， 目標涵蓋芯片封裝與客制化堆疊內存項目 ， 應用于AI、HPC或消費性電子領域 。
聯華電子在2017年宣布退出10nm及以下先進制程節點的開發 ， 僅停留在14nm制程節點 。 可是隨著成熟制程節點的競爭加劇 ， 供應過剩導致利潤下降 ， 加上人工智能時代對采用先進工藝的芯片需求增加 ， 聯華電子或許會重新加入先進工藝的競爭 。
此前 ， TrendForce報道聯華電子正在考慮擴大與英特爾之間的合作伙伴關系 ， 可能選擇在原有12nm工藝基礎上增加6nm工藝 。 此前聯華電子宣布其2025年的資本支出降至18億美元 ， 相比上一年大幅降低了37.93% ， 考慮到新建生產線所需要的資金 ， 如果僅依靠自身力量 ， 很難開發新的工藝技術 。
業內人士也有同樣的看法 ， 認為未來聯電與英特爾將持續洽談下一世代制程的合作機會 ， 其中 ， 英特爾沖刺先進制程 ， Intel 7、4都有可能會是下階段聯電邁進先進制程之契機 。
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