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半導體領域已經發展到了一個瓶頸期 ， 似乎這幾年制程進步十分地緩慢 ， 此時就需要廠商去挑選全新的晶體管材料 ， 來應對未來的晶體管發展 。 目前英特爾就向行業展示了多款晶體管材料 ， 可以讓漏電率降低到目前的千分之一 ， 為今后的工藝進步提供材料上的支持 。
據悉英特爾這一次展示的三種材料分別為鐵電鉿鋯氧化物(HZO)、氧化鈦(TiO)以及鈦酸鍶(STO) ， 主要用于晶體管中的金屬中間層 ， 英特爾表示這種材料最大的作用就是能夠讓晶體管在持續不斷地減少體積的同時還能保持相對穩定的供電 。
根據英特爾提供的參數 ， 這種新材料能夠讓晶體管的平面電容值提高到每平方微米60-98飛法拉 ， 并且漏電率為目前材料的千分之一 ， 能夠有效地減少由于漏電導致的性能下降的情況 。 除了晶體管新材料之外 ， 英特爾也在本次大會上展示了全新的GaN芯粒技術 ， 用于取代硅的二維材料以及相關的工藝 ， 此外還與其他的大學共同研究如何利用全新的技術來有效地降低數據中心的功耗以及提升AI算力需求 。
【英特爾公布全新材料：能讓漏電率降低至千分之一】當然這些前沿技術還處于早期的研究階段 ， 甚至還僅僅停留在提出想法的階段 ， 未來還需要各個學科不斷地進步才能將這些尖端技術落地 ， 預計還得要3-5年 ， 對于消費者來說 ， 目前的半導體材料逐漸進入到了瓶頸期 ， 肯定是希望科學家能夠盡早突破瓶頸 ， 從而為大家帶來性能更加強勁的終端產品 。
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