
美光計劃斥資 1.5 萬億日元擴建廣島工廠以量產下一代 DRAM 內存 , 日本政府將為此提供 1/3 的補貼 。
近日 , 日本經濟產業省宣布向美光 Micron 位于廣島縣東廣島市的 DRAM 內存工廠提供合計最多 5360 億日元的補貼 。 美光計劃斥資 1.5 萬億日元擴建廣島工廠以量產下一代 DRAM 內存 , 日本政府將為此提供 1/3 的補貼 , 對應 5000 億日元;另外的 360 億日元資金則用于支持美光研發高性能存儲器 。
美光 DRAM 開發事業部高級副總裁 Shigeru Shiratake 表示:“我們非常感謝經濟產業省和日本政府對美光研發工作的支持 。 美光日本存儲器研發團隊正與美光美國團隊緊密合作 , 共同開發面向未來的全球最先進的存儲器技術 。 這筆撥款將使我們能夠進一步加快面向 AI 時代的高性能存儲器解決方案的開發 。 ”
【日本宣布向美光廣島DRAM內存工廠授予最多5360億日元補貼】據悉 , 美光計劃在 2025 年量產的下代 1-gamma (nm) 節點正式導入 EUV 光刻技術 。 考慮到 DRAM 行業的代際周期 , 新工廠將具備生產 1-gamma 乃至 1-delta DRAM 的能力 。 這一決策表明美光對于 DRAM 市場的前景保持樂觀態度 , 并期望通過投資新技術和設備來保持其市場地位 。
然而 , 美光在計劃建設新晶圓廠的過程中 , 也遇到了一些挑戰 。 原計劃在2024年就啟動新晶圓廠的運行 , 以便在 2025 年量產后的第一時間擴充 1-gamma DRAM 制造能力 。 但是 , 由于此前半導體行業 , 尤其是存儲領域的衰退 , 美光對投資計劃進行了調整 , 放緩了產能擴張的速度 。 這一決策反映了美光對行業趨勢的敏銳洞察 , 并靈活應對市場變化的能力 。
除日本工廠外 , 美光還計劃大幅擴大其在美國本土的投資 , 專注于領先DRAM制造和研發 。 美光計劃在其此前投資規劃的基礎上 , 再增加約300億美元的投資(預計總額將達到約2000億美元) , 在愛達荷州博伊西建設第二座領先的存儲器制造工廠;并對弗吉尼亞州馬納薩斯的現有制造工廠進行現代化改造和擴建;以及將先進的HBM高帶寬內存封裝能力引入美國本土 , 以支持AI市場帶來的長期增長需求 。 此外 , 美光還計劃在本土研發領域投入500億美元 , 進一步鞏固其作為全球存儲器技術領導者的長期地位 。
此前 , 美光已宣布在紐約建設一座大型晶圓廠的計劃 。 截至目前 , 美光在美國的廣泛擴張計劃涵蓋了愛達荷州的兩座先進制造工廠、紐約州最多四座先進制造工廠、弗吉尼亞州現有工廠的擴建與現代化升級、先進的HBM封裝能力以及旨在推動美國創新和技術領導地位的研發投入 。 這些投資旨在滿足預期的市場需求 , 維持市場份額 , 并支持美光將40%的DRAM產能在美國本土生產的目標 。
據悉 , 內存曾是日本半導體產業的“頂梁柱” , 為其在全球市場上的主導地位奠定了堅實基礎 。 但隨著技術革新和市場競爭的加劇 , 日本在存儲領域逐漸喪失了優勢 。 目前 , DRAM市場主要被韓國三星和SK海力士以及美國美光三大巨頭所壟斷 , 三家公司合計占據約90%以上的市場份額 。 日本企業中 , 僅有鎧俠(東芝2021年分拆出來的內存部門)在NAND閃存領域仍具有一定競爭力 。
去年12月18日 , 半導體存儲器巨頭鎧俠控股在東京證券交易所最高一級的PRIME市場掛牌上市 , 拉開交易序幕 。 鎧俠上市時新發行了2156萬股 , 籌得資金約290億日元 。 持有其股票的美國投資基金貝恩資本和東芝將賣出一部分 , 使持股比例分別從56%和40% , 降至51%和30% 。 為應對日益激烈的市場競爭 , 日本企業開始將目光轉向新型存儲技術 , 試圖在這一新興領域尋求新的增長點 。
隨著人工智能和數字化轉型的廣泛應用 , 市場對高密度、高速度、低功耗的非易失性存儲器的需求日益增大 。 相較于傳統的DRAM和NAND Flash , 新型存儲技術如MRAM、FeRAM等 , 在速度、功耗、耐久性等方面展現出顯著優勢 。 這些優勢不僅能夠滿足日益增長的數據存儲需求 , 而且為物聯網、人工智能等新興應用提供了更廣闊的發展空間 。
鎧俠(前身為東芝存儲)在新型存儲技術上的布局備受關注 。 早在2011年 , 東芝就與韓國的SK海力士簽署了聯合開發協議 , 共同研發STT-MRAM(自旋轉移力矩磁性隨機存取存儲器) 。 STT-MRAM的核心存儲元件是磁隧道結(MTJ) , 其工作原理依賴于改變自旋狀態來實現數據的存儲 。 為提高存儲密度和降低成本 , 縮小MTJ的尺寸成為實現高密度STT-MRAM的關鍵技術目標 。 盡管這一領域的研究已持續多年 , 但至今仍然處于研發階段 , 尚未實現大規模量產 。
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