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快科技8月25日消息 ， SK海力士宣布 ， 已完成開發并開始量產其321層2Tb QLC NAND閃存產品 。
這也是全球首次使用QLC技術實現超過300層的NAND閃存 ， SK海力士計劃在明年上半年完成全球客戶驗證后正式推出該產品 。
為了最大化新產品的成本競爭力 ， SK海力士開發了一款容量為2Tb的設備 ， 其容量是現有解決方案的兩倍 。
【全球首次！SK海力士官宣量產321層QLC NAND閃存】
為解決大容量NAND可能出現的性能下降問題 ， 公司還將芯片內獨立操作單元（平面）的數量從4個增加到6個 ， 從而實現更大的并行處理能力 ， 明顯提升了同時讀取性能 。
因此與之前的QLC產品相比 ， 321層QLC NAND在容量和性能上都有明顯提升 ， 數據傳輸速度翻倍 ， 寫入性能提高了56% ， 讀取性能提高了18% ， 此外寫入功耗效率也提高了23%以上 。
SK海力士計劃首先將321層NAND應用于PC SSD ， 然后擴展到數據中心的企業級SSD和智能手機的UFS 。
此外SK海力士也將基于堆疊32個NAND閃存的封裝技術 ， 達到比現有高出一倍的集成度 ， 進入面向AI服務器的超高容量eSSD市場 。
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