豪威集團發布高壓隔離驅動芯片ORD110x

【豪威集團發布高壓隔離驅動芯片ORD110x】豪威集團發布高壓隔離驅動芯片ORD110x

文章圖片

豪威集團發布高壓隔離驅動芯片ORD110x

目前ORD1101已支持送樣 , 2026年第一季度正式量產 。
9月5日 , 豪威集團發布了一款高集成度的高壓隔離柵極驅動芯片ORD110x , 專門針對IGBT/碳化硅SIC的驅動需求 , 最大支持1500V的電機控制系統 , 采用電容隔離技術 , 支持高達10000V的浪涌隔離電壓 , 共模瞬變抗擾度高于150V/ns , 保證整個控制系統在更高電壓的應用環境里安全、穩定的運行 。

據介紹 , ORD110x單通道高壓柵極隔離驅動器符合AEC-Q100認證 , 具備大于15A的柵極驅動電流能力 , 支持高達1500V電驅系統工作電壓 , 10KV的最大浪涌隔離電壓和8KV的瞬態隔離電壓 。 共模瞬變抗擾度(CMTI)大于150V/ns , 4A米勒鉗位電流 , 保證IGBT/SIC安全快速的關斷 。 工作環境溫度范圍為-40°C到125°C , 符合RoHS標準且無鹵素 , SOP-16封裝 , 滿足800V系統對加強絕緣的要求 。
ORD110x集成了IGBT/SIC的短路保護 , 其中500mA的軟關斷電流保證了IGBT/SIC在短路時能快速、安全的關斷;集成低壓/高壓側輸入電源的過壓/欠壓保護;集成IGBT/SIC的柵極電壓監控 , 防止驅動信號的丟失;集成高壓側的模擬電壓采樣輸入 , 節省母線電壓采樣、IGBT/SIC溫度采樣的BOM成本;集成了死區保護功能 , 死區保護時間通過不同的料號可選 。
具體而言 , ORX110x具有死區保護功能 , 死區保護時間擋位為0us/0.5us/1.0us/1.5us/2.0us 。 當驅動芯片檢測到PWM輸入引腳INP和INN的死區時間小于芯片內部設置的死區時間時 , ORD110x會將輸出端強制設為芯片內部的死區時間 , 避免IGBT/SIC發生上下橋直通的風險 。

當IGBT/SIC發生短路并處于退保和工作狀態時 , DESAT引腳通過檢測其VCE/VDS的電壓狀態來觸發ORD110x的內部關斷機制 。 當DESAT故障被觸發時 , 驅動芯片立即啟動軟關斷功能 , 保證IGBT/SIC快速并安全的關斷 。
ORD110x通過高壓側的AIN引腳采樣模擬電壓 , 通過編碼的方式傳輸到低壓側并通過AOUT引腳以400KHz的PWM方式輸出 , 用戶通過獲取其PWM的占空比得到模擬電壓的采樣值 。 其中 , AIN的輸入電壓范圍為0.6到4.5V , AOUT全溫度范圍內的輸出精度為±4% 。
為了防止驅動信號異常或者丟失 , ORD110x提供IGBT/SIC的柵極電壓監控功能 。 當IGBT/SIC開通時 , ORD110x以PWM的上升沿為計時起點 , 經過7.8us的延時后檢測柵極電壓是否到達開通閾值 , 如果低于該閾值則報告柵極電壓故障并立即關閉輸出;當IGBT/SIC關斷時做同樣的檢測 。 該功能有效避免了因驅動信號異常導致的丟波時電控系統持續異常工作時帶來的危害 。
在電機逆變器應用系統中 , 隔離驅動芯片高壓側的GND在IGBT/SIC開關瞬間會產生高速的瞬變共模電壓的上升/下降 , 為了防止高速瞬變信號穿過隔離層對低壓側信號產生影響 , ORD110x加強了高低壓側的隔離強度 , 使得CMTI性能高于150V/ns 。
為驗證ORD110x在電機逆變器系統中的穩定和可靠性 , 豪威基于ORD110x的三相驅動板搭配IGBT模塊HPD進行了長時間的臺架耐久測試 , 測試穩定、可靠 。 測試工況:電機轉速為4000轉/分鐘 , 電機扭矩為100Nm 。
目前ORD1101已支持送樣 , 2026年第一季度正式量產 。
*聲明:本文系原作者創作 。 文章內容系其個人觀點 , 我方轉載僅為分享與討論 , 不代表我方贊成或認同 , 如有異議 , 請聯系后臺 。
想要獲取半導體產業的前沿洞見、技術速遞、趨勢解析 , 關注我們!

    推薦閱讀