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日本研發出1.4nm“光刻機”，但我們卻不能學日本？

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日本研發出1.4nm“光刻機”，但我們卻不能學日本？

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日本研發出1.4nm“光刻機”，但我們卻不能學日本？

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光刻機 ， 絕對是最牽動網友們心的半導體設備了 。
原因是國產光刻機 ， 離全球頂尖水平差太遠了 ， 應該有10年的差距 ， 這個應該是差不多的 ， 甚至差距會更大 。
更重要的是 ， 美國卡住高端光刻機 ， 比如EUV光刻機 ， 高端的浸潤式DUV光刻機 ， 不準ASML賣給中國 ， 免得中國芯片制造產業追上來 。

而沒有EUV ， 幾乎就無法進入7nm以下 ， 雖然很多人說 ， 使用浸潤式DUV也可行 ， 但我們也沒有高端的浸潤式DUV ， 按照ASML的說法 ， 賣給我們的 ， 是落后8代的 ， 相當于2013年的水平 ， 你說用這種浸潤式DUV ， 能行么 ， 就算行 ， 良率會高么？
所以研發出自己的EUV ， 是大家共同的心愿 。
所以最近有媒體報道稱 ， 日本DNP(日本印刷株式會社)宣布研發出了線寬10nm的NIL納米壓印機時 ， 網友們很郁悶 。

因為很多人說 ， 線寬10nm的NIL納米壓印機 ， 可以制造1.4nm的芯片 ， 這個比ASML現在的EUV還先進了 。
所以很多人稱 ， 我們要學習日本 ， 為何它們能夠彎道超車 ， 不采用EUV技術 ， 制造出1.4nm的光刻機 ， 我們為何不行 ， 我們也可以去研究NIL技術 。
但說實話 ， 我們真不能去學日本 ， 搞NIL ， 當然也不是不能搞 ， 而不是將寶押在NIL技術上 ， 還是得去搞EUV 。

【日本研發出1.4nm“光刻機”，但我們卻不能學日本？】為何這么說？
NIL的技術 ， 相當蓋章 ， 先雕刻一個芯片線路圖的章子 ， 然后再將這個章子蓋到制造芯片的硅晶圓上 ， 圖案就留了下來 ， 這就是NIL的原理 。
這種方式效率非常低 ， 一臺NIL連一臺EUV光刻機的百分之一的效率都沒有 。 幾乎就無法用于大規模的芯片制造 。
其次 ， 雕刻這個章子的大小精細程度 ， 需要與芯片線路圖是1:1的 ， 難度大 ， 門檻高 ， 復雜一點芯片 ， 不可能雕出來 ， 并且多層電路時 ， 需要雕多個章子 ， 面臨著對準的大問題 ， 同時一個這樣的章子 ， 蓋50次就得報廢 ， 要重新雕 ， 所以速度也慢 。

所以說 ， 這種NIL技術 ， 只能用于簡單的 ， 線路圖非常簡潔的芯片 ， 復雜的邏輯芯片就別想了 ， 同時還不能大規模用來制造芯片 ， 只能是小批量的 ， 試驗性的制造一些 ， 這也是為何佳能早就有了NIL ， 但沒人買單的原因 。
所以 ， 我們還真不能學日本 ， 可以去嘗試 ， 但不是說有了這個NIL ， 就放棄EUV了 ， EUV才是大規模制造復雜的邏輯芯片必不可少的 ， NIL是替代不了的 。
事實上 ， 目前國內在NIL上也有突破的 ， 之前璞璘科技就官宣了首臺PL-SR系列噴墨步進式納米壓印設備 ， 已經交付給客戶了 ， 這臺NIL設備 ， 線寬＜10nm， 且是量產的設備了 ， 這個線寬也小于10nm ， 為何沒人吹呢 ， 反而日本的設備被國內網友吹上了 ， 唉 ， 真是的 。

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