美光推出全球首款1γ工藝LPDDR5X內存_dram|ai|海力士

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美光已向部分客戶提供基于1γ工藝的16GB LPDDR5X樣品，并計劃在2026年推出容量覆蓋8GB至32GB的完整產品組合。
近日，美光科技宣布已開始向合作伙伴提供全球首款基于1γ（1-gamma）制程的低功耗LPDDR5X內存產品的驗證樣品。該產品專為旗艦智能手機中的AI應用加速而設計，不僅實現了業內最高的LPDDR5X速度——10.7 Gbps ，還可帶來高達20%的功耗降低，為用戶帶來更流暢的移動體驗和更長的電池續航，即使在執行如AI翻譯或圖像生成等數據密集型任務時也能從容應對。
為滿足下一代智能手機對緊湊化設計的需求，美光在封裝技術上再次突破，推出業內最薄的LPDDR5X封裝，厚度僅為0.61毫米，相較競品薄6% ，比上一代產品降低了14%的高度。如此小巧的尺寸，為折疊屏或超薄手機的設計提供了更大空間。
美光移動與客戶端事業部副總裁兼總經理Mark Montierth表示：“基于1γ工藝的LPDDR5X內存為移動行業帶來了顛覆性變革。它不僅具備超快速度和卓越的能效表現，還采用業內最薄封裝，為全新手機形態奠定基礎，展現了我們推動移動生態發展、實現卓越用戶體驗的承諾。 ”
圖：美光推出全球首款1γ工藝LPDDR5X內存
在性能方面，該產品的10.7 Gbps帶寬相較上一代1β（1-beta）工藝的7.5 Gbps實現了大幅提升。美光對大語言模型Llama 2在移動端的響應速度進行了評估，結果顯示：

基于位置的餐廳推薦響應速度提升約30%；
將英語語音詢問實時翻譯成西班牙語文本的速度提升超過50%；
基于車型、價格和車載娛樂/安全功能的購車建議響應速度提升可達25% 。

這是美光首次在移動內存產品中采用EUV（極紫外光刻）技術，為客戶提供更先進的性能與能效體驗。該1γ工藝DRAM平臺不僅繼承了美光在高-K金屬閘極等CMOS制程上的創新，還通過EUV提升了晶體管密度與位元容量。這一技術此前已用于2024年2月開始送樣的1γ DDR5數據中心及客戶端內存產品。
隨著AI計算日益轉向終端側執行，低功耗芯片的重要性愈發凸顯。智能手機、平板電腦及筆記本電腦等設備需在確保性能的同時最大限度降低能耗。美光全新LPDDR5X在實現高達20%功耗節省的同時，滿足AI游戲、視頻與智能應用的長時間運行需求。此外，隨著AI技術驅動對高性能、低功耗計算的持續增長，數據中心、智能汽車及AI PC等領域也有望逐步引入該類LPDDR5X產品。
目前，美光已向部分客戶提供基于1γ工藝的16GB LPDDR5X樣品，并計劃在2026年旗艦手機市場推出容量覆蓋8GB至32GB的完整產品組合。
SK海力士已完成1c DDR5的大規模生產認證今年1月， SK海力士宣布已成功完成內存業界最先進 1c 納米制程 DRAM 的批量產品認證，連續多個以25塊晶圓為單位的批次在質量和良率上均達到要求，有望在完成量產交接手續后于2月初正式啟動1c納米DRAM量產。
值得一提的是， 2024年8月SK海力士宣布成功實現1c納米工藝的16Gb DDR5-8000 DRAM內存開發。如果在今年2月成功量產，那么從開發成功到量產的半年時間，符合DRAM內存行業的一般新制程量產時間表。
【美光推出全球首款1γ工藝LPDDR5X內存】此外， SK海力士曾表示， 1c工藝技術將應用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進DRAM主力產品群。
三星1c DRAM開發推遲至今年6月三星電子原計劃于2024年底完成1c DRAM開發，但測試芯片良率未達目標，被迫將開發周期延長6個月到2025年6月才能完成，這也會使預定下半年量產的第六代高頻寬內存（HBM4）一并延后。
盡管2024年底三星電子已產出首顆 “良品芯片” ，但良率仍低于 70% ，遠未達到量產要求。業內分析認為良率不足可能與1c工藝引入的新材料、EUV 流程優化不足有關，導致制程穩定性不足。為解決良率問題，三星正在對 1c DRAM 進行設計修改，包括放大芯片尺寸以提升穩定性。這一策略雖能短期內改善良率，但可能犧牲性能密度，與SK海力士通過EUV優化和新材料實現的高生產率形成對比。
業界標準的產品開發周期約為18個月。三星于2022年12月完成了10nm第五代1b DRAM ，并于2023年5月開始量產。不過，其1c DRAM的進展一直未有最新消息。三星 1c DRAM延遲，那么其HBM產品的量產可能推遲到在2025年之后進行，這與三星先前宣布將于2025年下半年將1c DRAM制程用于HBM4、并量產的情況有所變化。
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