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美光宣布向多個關鍵客戶出樣 HBM4 36GB 12Hi 內存

芯片三星sk海力士美光

美光宣布向多個關鍵客戶出樣 HBM4 36GB 12Hi 內存

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HBM4 ， 有了新進展 。
在AI計算時代 ， HBM有著舉足輕重的地位 。 高帶寬內存（HBM）是通過垂直堆疊多個DRAM芯片 ， 大幅提升數據處理速度 ， 超越傳統DRAM的能力 ， 是一種高價值、高性能的產品 。 HBM的爆火伴隨著2023年ChatGPT的出現 ， 它引發了人工智能市場的爆發式增長 。 自第一代HBM誕生以來 ， 這項技術已發展至第六代 ， 包括HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E和HBM4 。
6 月 10 日消息 ， 美光美國愛達荷州博伊西當地時間今日宣布向多個關鍵客戶交付其 HBM4 36GB 12Hi 內存樣品 。
美光的 HBM4 36GB 12Hi 基于其成熟的 1? 工藝 24Gb DRAM Die 和 12 層堆疊封裝技術 ， 每個堆棧的速度超過 2.0TB/s ， 性能較上代 HBM3E 提升 60% 以上 ， 同時能效也實現了 20% 的改進；此外其擁有強大的 MBIST 內存內置自檢功能 。
美光表示其 HBM4 內存提升了邏輯 xPU 與內存間的數據交互 ， 讓 AI 加速器能更快地響應并更有效地進行推理 。 該企業計劃在 2026 年實現 HBM4 的產能爬坡 ， 與客戶的下一代 AI 平臺量產節奏保持一致 。
3月19日 ， 韓國半導體供應商SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新產品12層HBM4 ， 并在全球首次向主要客戶提供其樣品 。 SK海力士表示 ， 公司將在下半年完成量產準備 。
【美光宣布向多個關鍵客戶出樣 HBM4 36GB 12Hi 內存】HBM4屬于第六代HBM產品 ， 英偉達將是SK海力士的首個客戶 ， 用于明年的Rubin架構數據中心GPU上 。 SK海力士引入了在HBM3E獲得認可的Advanced MR-MUF工藝 ， 從而在現有12層堆疊上達到了最大36GB容量 ， I/O接口速度達8Gbps ， 帶寬可提高至2TB/s 。 新工藝不但能控制芯片的翹曲現象 ， 還有效提升了散熱性能 ， 由此最大程度地提高了產品的穩定性 。
據SK海力士介紹 ， 4月在臺積電北美技術論壇上展示的16層堆疊HBM4具有高達 48 GB 的容量、2.0 TB/s 帶寬和額定 8.0 Gbps 的 I/O 速度 ， 其Logic Die則是由臺積電代工 。 SK 海力士表示 ， 他們正在尋求在 2025 年下半年之前進行大規模生產 ， 這意味著該工藝最早可能在今年年底集成到產品中 。
SK海力士已經穩固了Nvidia AI半導體“Blackwell”系列HBM3E的主要供應商地位 ， 并且有望在全球率先供應預定于今年年底量產的下一代HBM4樣品 ， 從而繼續保持領先地位 。 截至去年第四季度 ， HBM 占 SK 海力士 DRAM 總銷售額的 40% 以上 。
三星也正奮起直追 ， 計劃在今年下半年啟動HBM4的量產 。 三星存儲業務負責人全永鉉(Jun Young-hyun)表示 ， 三星在HBM市場未能先行 ， 導致這一領域的表現落后于競爭對手SK海力士(SK Hynix) 。 他強調 ， 三星不會在下一代HBM4和定制晶圓上重蹈覆轍 ， 所以要追趕上來 。
面對SK海力士在HBM領域的領先地位 ， 三星正在依托自身在存儲芯片和晶圓代工領域的整合能力迎戰 。 1月5日據韓國朝鮮日報報導 ， 三星DS部門存儲業務部已完成了HBM4內存的邏輯芯片設計 。 Foundry業務部方面也已經根據該設計 ， 采用三星自己的4nm試產 。 待完成邏輯芯片最終性能驗證后 ， 三星將提供HBM4樣品驗證 。 目標是在上半年內完成量產準備認可（PRA）程序 ， 外界推測這可能是未來與英偉達Rubin的發布時間相迎合 。
三星預計 ， 4nm晶圓代工工藝將加速HBM4生產 ， 使其在市場競爭中占據優勢 。 4nm是三星的旗艦晶圓代工制造工藝 ， 其良率超過70% 。 目前 ， 該工藝已被用于Exynos 2400芯片 ， 該芯片是三星旗艦AI手機Galaxy S24系列的核心處理器 。
根據TrendForce集邦咨詢最新研究 ， HBM技術發展受AI Server需求帶動 ， 三大原廠積極推進HBM4產品進度 。 由于HBM4的I/O（輸入/輸出接口）數增加 ， 復雜的芯片設計使得晶圓面積增加 ， 且部分供應商產品改采邏輯芯片架構以提高性能 ， 皆推升了成本 。 鑒于HBM3e剛推出時的溢價比例約為20% ， 預計制造難度更高的HBM4溢價幅度將突破30% 。

AI芯片領先廠商英偉達于今年GTC大會亮相最新Rubin GPU ， AMD則有MI400與之抗衡 ， 上述產品都將搭載HBM4 。
由于需求強勁 ， TrendForce集邦咨詢預估2026年HBM市場總出貨量預計將突破30Billion Gb ， HBM4的市占率則隨著供應商持續放量而逐季提高 ， 預計于2026年下半正式超越HBM3e系列產品 ， 成為市場主流 。 至于供應商表現 ， 預期SK hynix將以過半的市占率穩居領導地位 ， Samsung與Micron（美光科技）仍待產品良率與產能表現進一步提升 ， 才有機會在HBM4市場迎頭趕上 。
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