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2026年QLC SSD出貨量有望爆發式增長

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2026年QLC SSD出貨量有望爆發式增長

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2026年QLC SSD出貨量有望爆發式增長

【2026年QLC SSD出貨量有望爆發式增長】本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合
若比較QLC SSD和Nearline HDD ， 前者不僅效能較佳 ， 而且可節省約30%的耗電量 。
根據TrendForce最新研究 ， AI創造的龐大數據量正沖擊全球數據中心存儲設施 ， 傳統作為海量數據存儲基石的Nearline HDD（近線硬盤）已出現供應短缺 ， 促使高效能、高成本的SSD逐漸成為市場焦點 ， 特別是大容量的QLC SSD出貨可能于2026年出現爆發性增長 。
SSD采用 NAND閃存技術 ， 而QLC SSD則是這一技術的分支 。 QLC代表四層單元， 意味著SSD中的NAND閃存在每個存儲單元中能保存的數據量——在此情況下 ， 每個單元可存儲四比特數據 。 QLC SSDs的主要進步在于其能夠在單個單元內容納更多比特 。 這是通過使每個單元具有十六種不同的電壓狀態來實現的 ， 相比早期使用較少電壓狀態的技術 ， 這一改進帶來了更高的存儲密度和成本效益 。

QLC技術的主要優勢之一是成本效益。 通過每個單元存儲更多位 ， SSD制造商可以以更低成本生產更高容量的驅動器 。 對于云服務提供商（CSP） 和數據中心來說 ， 這意味著在數據中心內可以使用更小、更高密度和更大容量的SSD ， 有助于整合和優化空間使用 。 QLC SSD雖然在寫入速度上可能無法與SLC或MLC SSD媲美 ， 但它們通常提供卓越的讀取性能。 這使得它們成為操作系統驅動器（要求快速啟動時間）、涉及紋理流式的游戲， 以及數據庫應用等場景的理想選擇 。 存儲密度 QLC SSD 在存儲密度上表現出色 ， 且功耗更低 。 這些特性使它們成為數據中心和 CSP (云服務提供商)的理想選擇 。
Nearline HDD是近線存儲的一種形式 ， 它將那些并不是經常用到 ， 或者說數據的訪問量并不大的數據存放在性能較低的存儲設備上 。 這種存儲方式要求設備尋址迅速且傳輸率高 ， 適合存儲那些不常用的數據 。 近線硬盤通常使用磁盤、磁帶、光盤等介質 ， 常見的設備包括SATA磁盤陣列和DVD-RAM光盤庫 。 近線存儲廣泛應用于醫療PACS系統、檔案管理等領域 ， 通過數據遷移技術將不常用數據自動歸檔至大容量SATA磁盤等設備 。
若比較QLC SSD和Nearline HDD ， 前者不僅效能較佳 ， 而且可節省約30%的耗電量 。

TrendForce表示 ， 由于全球主要HDD制造商近年未規劃擴大產線 ， 無法及時滿足AI刺激的突發性、巨量儲存需求 。 目前NL HDD交期已從原本的數周 ， 急劇延長為52周以上 ， 加速擴大CSP的儲存缺口 。 北美CSP早已規劃于溫數據應用擴大采用SSD ， 但因為這波HDD缺口嚴峻 ， CSP甚至開始考慮于冷數據采用SSD ， 然而 ， 要邁向大規模部署須先解決成本和供應鏈的雙重挑戰 。
QLCEnterprise SSD供應商Solidigm亞太區銷售副總裁倪錦峰此前表示 ， 目前AI使得HDD局限性愈發明顯 ， 公司QLC SSD可突破HDD在AI領域的限制 ， 大幅度提升AI存儲功耗效率 ， 幫助生態系統更加完善 。
三星表示 ， AI模型規模持續擴大 ， 訓練數據量成比例增長 ， 導致對更高存儲容量的需求增加 ， 同時推理應用也需要大量數據庫存儲 ， 從而推動64TB至128TB SSD需求的上升 ， 三星的QLC企業級SSD出貨量在2024年下半年預計會比上半年增長三倍 。
QLC SSD逆勢增長 ， 業界認為它或許可以成為NAND閃存市場的翻盤利器 。 針對QLC將帶來的影響 ， TrendForce曾表示 ， 北美CSPs（云端服務業者）已開始在Inference AI Server（推理用人工智能服務器）大量采用QLC Enterprise SSD ， 尤其是大容量規格 ， 并預估 ， QLC將貢獻2024年NAND Flash位元出貨量20% ， 此比重2025年將再提升 。
去年4月 ， 三星率先量產第九代三層單元(TLC) V-NAND ， 隨后在9月又率先推出QLC V-NAND ， 進一步鞏固了其在大容量、高性能NAND閃存市場的領導地位 。
三星的第九代QLC V-NAND匯集了多項創新技術 ， 帶來了技術突破：
三星引以為傲的通道孔蝕刻技術 ， 使得雙堆疊結構在行業中實現了最高的層數 。 憑借第九代TLC V-NAND積累的技術經驗 ， 優化了單元區和外圍電路的面積 ， 使得位密度較前代QLC V-NAND提高了約86% 。
“預設模具”技術通過調節單元工作字線（WL）的間距 ， 確保層間及層內單元特性的均勻性與優化 。 隨著V-NAND層數的增加 ， 這些特性變得尤為重要 。 采用“預設模具”技術使數據保持性能較之前版本提升了約20% ， 從而提高了產品的可靠性 。
預測編程技術通過預測和控制單元狀態變化 ， 減少不必要的操作 。 借助此技術 ， 三星第九代QLC V-NAND的寫入性能翻倍 ， 數據輸入/輸出速度提升了60% 。
低功耗設計技術通過減少NAND單元驅動電壓并只感應必要的位線（BL） ， 大幅降低功耗 。 讀寫數據的功耗分別減少了約30%和50% 。
未來 ， QLC或將進軍消費類嵌入式eMMC、UFS領域 ， 據悉目前已有原廠的UFS采用了QLC作為存儲介質發布產品 。 業界機構預測 ， 2025年大容量QLC Enterprise SSD（企業級固態硬盤）將崛起、智能手機將采用QLC UFS（通用閃存存儲） 。
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